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ON推出致能展频频率产生器IC 用于降低可携、消费及计算应用的电磁干扰
[发布时间:2012/12/27 13:06:00]  阅读次数:1090
展频频率产生器节省电路板空间,符合EMI规范,无须昂贵耗时的重新设计

 

ON推出新系列的致能展频频率产生器集成电路(IC),管理频率源的电磁干扰(EMI)及射频干扰(RFI),为所有依赖于频率的信号在系统范围内降低EMI。

P3P8203A LVCMOS峰值EMI降低频率产生器的目标应用为显示适配器、计算及消费等应用。此组件支持3.3 伏(V)输入电压,频率范围为18 MHz至36 MHz,通过外部电阻模拟控制展频偏差。系统设计人员选择该外部电阻之不同值在输出提供所想要额度的展频偏差,便能更灵活地定制应用,使在其应用中取得达致降低EMI的要求。P3P8203A采用8接脚、2 mm x 2mm x 0.8 mm WDFN封装,非常适合用于印刷电路板(PCB)空间受限的应用。工作温度范围为0°C至+70°C。

 
P3MS650100H和P3MS650103HLVCMOS峰值EMI降低频率产生器非常适合用于PCB空间受限的应用,如手机和平板计算机等可携电池供电设备;在这些应用中,EMI/RFI可能是重大挑战,而遵从EMI/RFIF规范是先决条件。这两款通用新展频型频率产生器采用尺寸仅为1 mm x

1.2 mm x 0.8 mm的微型4接脚WDFN封装,提供业界最小的独立式致能方案,用于降低频率源及源自频率源的下行频率和数据信号的EMI/RFI。P3MS650100H和P3MS650103H支持1.8 V至3.3 V的输入电压范围,典型展频偏差为0.45%至1.4%,减小15 MHz至60 MHz频率范围之频率源的EMI/RFI。工作温度范围为-20ºC至+85ºC。


ON工业及时序产品副总裁Ryan Cameron说:「符合EMI规范同时控制成本及尽量减少PCB占位面积,是可携及计算应用的重大挑战。我们新的EMI降低IC解决这些挑战,提供高性价比的方案,降低频率源及源自频率源的下行频率和数据信号的EMI/RFI。设计工程师在设计周期及早应用这些组件,可无须采用其他方案,也无须加入高成本的额外PCB层或屏蔽来处理EMI/RFI问题。」

封装

P3P8203A采用8接脚WDFN封装。P3MS650100H及P3MS650103H采用4接脚WDFN封装。

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